SI400CF-022销售

SI4004DY-T1-GE3
PDF资料下载

SI4004DY-T1-GE3技术资料：MOSFET N-CH 20V 8-SOIC

标准包装：2,500
系列：TrenchFET®
包装：带卷 (TR)
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：12A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：13.8 毫欧 @ 11A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：33nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1280pF @ 10V
功率 - 最大值：5W
安装类型：表面贴装
封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC N